三极管饱和时为何UBE UCE不变

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/08/04 14:50:44
三极管饱和时为何UBE UCE不变
三极管驱动8位数码管 proteus仿真 数码管为何不亮

PROTEUS仿真时,对三极管的仿真,速度太低,反应不过来,加大延时时间才行.如果用集成电路的反相器,代替三极管(逻辑是相同的),速度就上去了.数码管即可正常显示.

为何CO2不溶于饱和NaHCO3

CO2溶解反应:CO2+H2OH2CO3H2CO3在水中进一步电离:H2CO3H(+)+HCO3(-)饱和NaHCO3意味着HCO3(-)溶解达最大量,有效抑制上述两个可逆反应的正向进行,客观表现为C

电解饱和氯化钠溶液电极反应式中阴极反应式为何写成H+而不写成H2O

阴极反应应该就是2H2O+2e-===H2+2OH-不是2H+2e-===H2再问:教材为何写成2H+2e-===H2再答:点解氯化钠水溶液的总反应式是2NaCl+2H2O====2NaOH+Cl2+

三极管工作时为何温度升高对应的Ube减小

温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每

三极管饱和时为何UCE≈0

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

三极管饱和导通条件是?

Ic<βIb,这就是三极管饱和的条件.

书上说,三极管,Ube0时,饱和

你很细心,确实你所看的教科书上说的不够准确,对于NPN三极管来说,Ube只要小于发射结的初始导通电压(对于硅管是0.5V~0.6V,对于锗管是0.2V)三极管就会处于截止区,这时候Ubc0.3V时,处

模电中三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,此时Ib继续增大,Uce减少,那Ic是不是达到最大呢,还是减少到?

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,如果此时Ib继续增大,Uce减少,这是叫做过饱和.这时Ic已经达到最大,这个最大值是由三极管的负载电阻决定的.

三极管饱和时,集电极电流和射级电流还约等么?

不考虑ICBO、ICEO等uA级的电流.IE和IC之间就差值就是IB.因此可以认为相等.不妨碍一般电路设计和应用.基本上也不影响低功耗设计.

三极管饱和时Ub>Uc,那Ic怎么不会小于0

在三极管放大原理叙述中三极管放大c、b结必须必须处于反向,在实际使用中带负载的三极管随着be电压的增加ib、ic也随之加大而uce下降、当达到Uc=Ub时ib即使再增加ic也不再继续上升即所谓饱和,并

为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

三极管饱和时为什么集电极和发射极之间电压很小?

①发射区的电子向基区运动           如图3-3所示.由于发射结外加正向电压,多子

三极管饱和时Uce压降多大

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

为什么三极管饱和时集电结是0偏啊,或者说如何理解三极管饱和时Uce会下降?集电结是指哪两端的电压啊?

三级管工作有俩种状态1放大,用于信号放大,一般用于小信号处理.2用于电路的开关,又称开关管主要用于产生直流电源,这时三级管工作在饱和状态.别灰心在电路中多理解就好了

三极管截止时和饱和时,发射结和集电结是什么状态?正偏反偏我知道

三极管饱和时:发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.再问:但书上写着Ub

当流过三极管基极的电流多大时 ,三极管饱和导通?

追问:不能一个PN节相当于一个二极管(举例:肖特基的0.3v左右其他的0.7-1.3那样)没有电势差PN结不能正偏!基极电流输入的大小能控制集电极输入的电流大小放大倍数90-120倍那样.饱和理当基极

制备二氧化碳气体,在过程中添加一洗气瓶,为何装饱和碳酸氢钠溶液而不选择饱和碳酸钠溶液?

碳酸氢钠会阻止co2与谁反应再答:碳酸钠会继续和水和CO2反应生成碳酸氢钠

三极管工作在饱和态时,载流子是怎样运动的.外部偏向电压对三极管内部结构的作用

三极管工作在饱和态时,发射结正偏,集电极正偏.以NPN三极管为例,饱和态时,发射结正偏,使发射区的多数载流子自由电子越过发射结,部分与基区的空穴复合形成基极电流IB,而集电极正偏,使集电区的多数载流子