搜搜考试网什么是P-N结的正向偏置
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/07/19 17:31:22
发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向
P型半导体因为得到电子显负电荷,N型半导体失去电子显正电荷.其内电场的方向是N→P.当P加正电压,N加负电压时.外电场的方向是P→N.也就是说正加负,抵消削弱电场,使PN结变薄导通.当P加负电压,N加
首先应该理解PN结的形成,PN结是由于电子和空穴从高浓度向低浓度扩散形成的,即P型区的空穴向N型区扩散,N型区的电子向P型区扩散.最后形成空间电荷区空间电荷区的分布是靠P型区的是电子,靠N型区的是空穴
首先要知道：保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以
多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载
摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数
因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.
选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.
高单向导通性正向,反向越大小,大脉动,相同并3V偏置电阻一半
1、高2、单向导电性3、反射结正偏集电结反偏5、基集电流集电基电流6、单向脉动7、并8、正向9、静态参数会的我都已经回答了,有几个不会,不好意思
首先理解pn结形成后的电荷状态吧.在电荷区靠P区的是聚集负电荷,在电荷区靠N区是聚集正电荷.此时,电荷区的内部电场方向是由N区指向P区.当PN结正向偏置时,即给PN结加由P区指向N区的正向电压,那么这
处于放大状态的三极管发射结正向偏置,集电结一定是反向偏置的
晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大,就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏.即应该设置它的工作点.所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.P型半导体（P指positive,带正电的）：由单晶硅通过特
一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.
这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。
施加稳定的外加电压,pn结的状态也是稳定的,耗尽区宽度稳定在一个值,不会出现内部的空穴,电子随时间一直不断减少的情况,这是因为,pn结所连接的外部电路（电源）会源源不断补充载流子,这最终达到的是一个动
P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!