反向电压vgs

没有反向电压了,反向电流就没了,在高压条件下你想让它没电压是绝对不可能的,你想要反向电流小倒有可能,想一点也没有,现在还没人做得到.

所谓反向电压是根据P--N结的方向来的.P端的电动势高于B端,就是正向电压,反之称为反向电压.再问：什么B端，哪里来的B端再答：纠正一下打错了，是N端。键盘上N和B靠的太近啦！

把二极管的正极加负电压负极加正电压称为正向偏电压,正极加正电压负极加负电压叫反向偏电压

工作电压和反向电压是两个不同的参数指标

二极管的反向电压大小由漏电流大小来决定而正向的特性又取决於通过正向电流的大小而变化

220交流电正向峰值311V,负向也是311V再问：负向电压小于零，测电笔能测出吗？再答：氖泡无极性，对于它没有极性之分，只要电压达到起辉电压就会发光。50周交流100HZ闪动，眼睛不能分辨再问：负电

工作电压:3.0-3.3V工作电流:20mA光强值:600-800mcd发光波段:568-572nm

N沟道MOS管（一般源极接地）,只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右）,便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道,将源极和漏极连在一起,成为导电通道；这时只要在漏极加上电压,便可形成电流,此时电流

最大连续正向导通电流3A瞬间峰值电流（单次）200A反向耐压1000V最大反向漏电流10μA（25℃下）结电容（典型值）30pF反向恢复时间在数据手册里没有,但是上述的一些参数（正向电流、反向漏电）都

PMOS管导通的情况,跟NMOS管相反.

1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.2、第三个式子是从第二个推导出来的.3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.（1）首先设定UDS

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

如果加到PN结两端的电压达到一定的值的时候,反向电流突然增加,这个现象称为PN结的反向击穿又称电击穿.PN结击穿有两个原因,一个是雪崩击穿,还有一个是齐纳击穿（大多出现在齐纳二极管中）雪崩击穿和齐纳击

实际使用的时候,要想使其可靠截止,尽可能将VGS保持0或反向电压,即N沟道,VGS≤0V,P沟道≥0V.再问：恩，但是我的应用中，截止时Vgs的电压1V--1.5V，这样能导通吗？还有就是为什么截止了

P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还

一般二极管的反向击穿电压叫做反向不重复峰值电压,它一般是反向重复峰值电压的1.2倍,最高反向工作电压一般是反向重复峰值电压的0.7倍.反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为87.5V.

稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件.稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管,在电路中起稳定电压作用.它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变

万万不可!理解错了GS之间双向都是绝缘的如击穿就坏了,是物理击穿不可逆的.更无稳压作用可言,你所发现的情况一定菅内接有稳压二极管如一些MOSFET在D.S间用此法防击穿的型号是很多的再问：如果我要是像

反向漏电流IR是决定整流二极管关断状态损耗的重要参数,在等效电路模型中,用高阻值的电阻Rp模拟漏电流的大小,一般来说,反向漏电流应当是很小的,但在反向过渡过程中,反向电流的峰值IRM对关断损耗的作用却

是这样子的,电路有个参考点作为地,平时所说的电压都是相对于地做参考的,比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压.你所问的Vds是指D极相对于S极的电压,也就是由原来的参考地改为以S作为参考.简单来说