5551三极管的Ube是多少伏

其实Ube是会变化的,但是变化量非常的小,Ib的电流变化也非常的小,为了简化分析,故认为Ube不变,但是尽管Ib变化很小,但由于三极管处于放大区,从而导致集电极有较大的变化电流,Uce也会跟着变化.再

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

计算条件不足.故假设U1=U2=0V,则ICQ=((UEE+VBE)/RE)/2(取决对值),UCEQ=UBE+UCC-ICQ*RC.ICQ=((-15+0.7)/10)/2=0.715mAUCEQ=

温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

因为在三极管输出回路有一个关系式：VCC=UCE+ICRC.不是你说的UBE=VCC,是UCE=VCC.

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

根据你提供的参数可以判断出这是一只硅型三极管,如果用万用表的正极连接三极管的基极,那么根据数据分析是硅NPN三极管.如果用万用表的负极连接三极管的基极,那么应该是一只硅PNP三极管.

你问的是431吧?它不是三极管,是并联集成稳压源.Input(max)37V,Imax150mA,内基准电压2.5V,Output2.5-30V.正面第一脚是参考电压脚,连接电源+时为2.5V基准源；

UBE=?UCE=?看是锗管还是硅管,锗管UBE0.3V,硅管0.7V,UCE要看具体情况了

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和

错.Ube要大于死区电压,基极电流Ib才会产生.Ube小于死区电压三极管处于截止状态.硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在放大状态下,要求Ib与集电极电流Ic呈线性的比例关系,NPN型硅管

温度升高,β、ICBO增加,Ube减小

不是,不是,肯定不是再问：��ô��ÿ����Ŷ��е����ĵ�ͨ��ѹ�����ʻ��п�����ܵĵ����Ƕ��٣�ÿ����ŵĵ���ֱ��Ƕ��٣�再答：����ѧ���ǹ����ˣ�再问

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通