怎么求数域p上空间pn×n的一组基

M关于y轴对称点是Q则就是PQ+PN三角形两边之和大于第三边当三角形三点在一直线,且P在Q,N之间时PN+PQ=NQ此时最小所以P是直线NQ和y轴交点

由椭圆的定义知,点P的轨迹为椭圆,其方程为：x^2/9+y^2/5=1.设点P(x0,y0),由余弦定理得：|PM|^2+|PN|^2-2|PM|*|PN|cos∠MPN=|MN|^2.即：(|PM|

设P(x,0)M(-1,4),N(7,0)因为|PM|=|PN|所以(-1-x)²+16=(7-x)²解得x=2所以P的坐标是P(2,0)再问：抱歉，再问一下(-1-x)²

P有可能在MN外有可能在直线MN上但一定不会在线段MN

因为p在横轴上移动,可构成三角形.两边之差小于第三边.当三点共线时,差值最大.此时p(17/5,0)

设P（x，y），则PN＝(10−x，−2−y)，PM＝(−2−x，7−y)，∵PN=-2PM，∴10−x＝−2(−2−x)−2−y＝−2(7−y)，∴x＝2y＝4∴P点的坐标为（2，4）．故答案为：（

纠正题意：已知点M(3,2)N(1,2)点P在抛物线Y^2=X上,且|PM|+|PN|取最小值,则P的坐标为?解:设P(yo^2,yo)(yo∈N※)∵向量PM+向量PN>向量MN向量MN=2∴向量P

正确.因为与A可交换的矩阵为对角矩阵.[-1,0;0,0],[0,0;1,0],[2,0,0,1]为所求的一组基.这样可以么?

能构成,V是他的子空间,验证加法和数乘运算的封闭性就可以了

过M作AM垂直于Y轴并延长作BM=ME,连EN与y轴交点为P点设直线PN的解析式为y=kx+b-3k+b=2k+b=-1k=-3/4b=-1/4所以直线PN的解析式为y=-(3/4)x1+(1/4)x

M点关于y轴的对称点M'的坐标是（－3,2）,直线M'N的方程为y=-3/4x-1/4它与y轴交点的坐标为（0,－1/4).这就是点P.

设B,C是W中任意两个元素,则(kB)A=k(BA)=k(AB)=A(kB),即kB∈W.(B+C)A=BA+CA=AB+AC=A(B+C),即B+C∈W,因此W对于加法和数乘运算封闭,W是一个子空间

是的.P型半导体是在单晶硅（锗）中参入微量三价元素,如的硼、铟、镓或铝等,就变成以空穴导电为主的半导体,即P型半导体.在P型半导体中,空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子.如果在硅或

p的坐标是(0,-0.25)作法是:在坐标系内做出这两点,以y轴为对称轴,作m或n的对称点,连接mn’或m’n．这条线与y轴的交点即为点p．

从M、N中随便取一点,找出他关于y轴的对称点,讲此对称点与另一点连上,组成的线段与y轴的交点即为p点!原理是两点之间直线最短.

找M关于Y轴对称点M1(-3,2)连接M1,N交y轴于P就是所求点.因为P到M和M1之间的距离是相等的,两点之间线段最短直线MM1与y轴的焦点就是所求点P

p(1/2,1/2)求出M关于Y轴的对称点Q求NQ与Y轴交点为P

当P-N结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子.但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子.因P区产生的光生空穴,N区产生的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结.只有

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

作M关于直线L的对称点Q,连接NQ交直线L于点P,点P即为所求的点.由M（-3,5）及L:3x-4y+4=0,设k为MQ的斜率,则有k=-4/3.得MQ的方程为：y-5=-4/3(x+3),y=-4/