某新型半导体的Nc=10

（1）1100/220=5安220/5=44欧R0=44-34=10欧（2）R=100+10=110欧220/110=2安220*2=440瓦再问：第二问错了。。。

问题出在你的!=EOF上你用EOF（0x1A）字符串结束判断,需要你在输入的字符串中输入EOF（0x1A）,DOSCommand中可按^Z.EOF（0x1A）文本文件中,通常是文件结束符.

（1）R总＝220*220/1100＝44（欧）；R0＝44-20＝24（欧）；（2）P总（130度时）＝220*220/（100+24）＝390（W）.I＝220/124＝1.774（A）；P（RT

（1）由题意可知，发黄光时，灯泡的电流ILED=20mA=0.02A，ULED=2.4V；则该LED灯的电功率为P=ULEDILED=2.4V×0.02A=0.048W；（2）因LED灯泡与电阻R串联

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题目不对吧发黄光是2.4Vp=U*I=0.02*2.4=0.048AU（R）=5-2.4=2.6VR=2.6/0.02=130V再问：是对的两本练习册都是这样写的因此求助大哥，，，，不会别写是1.4V

脑残粉丝.可能是指有的粉丝冲动,不理性.

电阻率小于10的－6次方的物质,叫导体.电阻率大于10的7次方的物质叫绝缘体.半导体：是介于导体和绝缘体之间的材料,如：碳（纯）3.5乘以10的－5次方.欧姆·米硅（纯）3200欧姆·米锗（纯）0.6

脑1残的网游

试想过你的生活缺少了数字是什么概念吗?那将是一个混乱的世界,无论是你的手机号码、你的身份证号码、还是你家的门牌号,这些全部都是用数字表达的!电子游戏、电子邮件、数码音乐、数码照片、多媒体光盘、网络会议

我觉得应该是物理为基础,在生物化学方面做研究~

一个P型材料的的面或点结合一个N型材料的面或点就形成了一个PN结!装封后就是一只二极管!这个结合面里因空穴的填补是单方向的!故二极管具有单向导电性!低频率的二极管多是面接触型的!高频二极管多是点接触型

没有半导体你就提不了这个问了在半导体中杂质半导体中的杂质对电阻率的影响非常大.半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级.例如四价元素锗或硅晶体

（1）LED灯发黄光时，通过的电流I=20mA=0.02A，两端的电压ULED=1.4V，该LED灯的电功率：P=ULEDI=1.4V×0.02A=0.028W；（2）电阻R两端的电压：UR=U-UL

这是个立体图形,第五个点电荷是在正方形中心高为4倍根号2的位置.和金字塔一样.在根据库伦力,一个对它产生的是F=k10n10n/0.08＊0.08.加上正方对角线那个点荷产生的力,合力为根号2倍F.有

半导体的导电就是PN结的位垒单向导电性,正向导通.反反不通.

半导体是介于像铜那样易于电流通过的导体和像橡胶那样的不导通电流的绝缘体之间的物质.利用这样的半导体材料制造出的产品,有晶体二极管、晶体三极管、IC等半导体器件,它们被广泛应用于从收音机、电视机等家电产

指一个人脑残就是脑残的拼音缩写

常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge）,化合物半导体,如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等.其中硅是最常用的一种半导体材料.有以下共

AlN的晶格结构是铅锌矿结构（六方对称性的晶体）.物理特性：比重3.32g/cm3；熔点2750℃；相对介电常数8.5（静态）,4.6（高频）；具有直接跃迁能带结构；禁带宽度6.2eV；.等.