电阻器与二极管的伏安特性有什么区别-搜答案-搜搜考试网

1.电路图如下： 2.伏安特性曲线如下：再问：有什么区别？哪种更合理？再答：都合理，二极管分锗管和硅管，最基本的区别是PN结正向压降不同。硅管为0.7V左右锗管为0.3V左右再答：都合理，二

稳压二极管也是用的PN结反向伏安特性,只是比一般的PN结击穿电压低,还是可逆的的,伏安特性更陡.一般串联电阻,电压增加一点点,电流急剧加,等效阻抗变小,拖低在稳压管上的电压.

用电阻来举例：理论上是一条直线,但是实验值可能是一条稍有波动的曲线.这是因为电流,电压表的误差,或者读取误差,计算误差造成的!把实验值修正后应当是一条直线了.

二极管伏安特性曲线是一个类似于指数曲线的线：开始时平缓,后来上升很快电阻的伏安特性是一条直线

这个关系不时线形的,也不能简单定性说大或者小二极管导通时,两端的电压在二极管未击穿的情况下基本不变,而这个电压也可以认为就是管压降,这个时候根据二极管的特性曲线算出来的电阻可不是一个固定的值,电流越大

呵呵,区别不大,因为二者本质是一样的,要知道,二极管的本质就是PN结!二极管就是利用了PN结的单向导电性制成的.实际的二极管的IV特性曲线与PN结IV特性曲线的那点区别都是由于接触以及其他寄生因素带来

电阻

正向截止区、正向导通区、反向截止区、正向击穿区.二极管在数字电路中起作用：钳位、门.

①理想二极管模型---正向导通时,压降为0；反向截止时,电流为0.该模型通常用于防止电源反接和开关电路中；②恒压降模型---当二极管工作电流较大时,其两端电压为常数（通常硅管取0.7V,锗管取0.2V

正向特性：可导通,但电压需超过死区电压（门槛电压）反向特性：不导通,但如果电压超出一定值会反向击穿

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图.这种图像常被用来研究导体电阻的变化规律,是物理学常用的图像法之一.电源伏安特性曲线反映的是电源的特性

电阻的伏安特性是一条倾斜的直线,而二极管的伏安特性是非线性的,象一条二次曲线.

其实主要就是开启（开门）电压大小的差别（硅的开启电压0.7v左右,锗的开启电压0.2v）其他基本一样的.说白些,就硅需要0.7v左右的导通电压或说导通后有0.7v电压降.

用低频是便于测量数据.测量二极管特性曲线用三角波是因为波形是线性变化的,也是便于测量.如果用正弦波的话,就是非线性变化了.而用方波根本就测试不了二极管的伏安特性.

电阻器是线性元件,R=V/I,电压和电流成反比.二极管是晶体管类非线性元件,根据PN结的开关性能,来对其它电元素控制调整.你说的稳压二极管和普通二极管,概念不妥,在特定条件下,构造完全相同,只是用途不

因为VBE加在三极管的基极与发射极之间的PN结即发射结上该PN结就相当于一只二极管因此三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似.满意请采纳

在一定的光照下,太阳电池产生一定的电流ISC,其中一部分是流过P-N结的暗电流,另一部分是供给负载的电流.故可把光照P-N结看作是一个恒流源与理想二极管的并联组合,恒流源的电流就是最大的光生电流ISC

电阻为线性负载,伏安特性为直线,二极管为非线性负载,特性为曲线.

首先应该知道稳压二极管的最大稳定电流,[如果不知道应该以固定电压按10毫安来计算限流电阻]在固定电压的情况下.要先计算电阻的限制电流,即固定电压减去稳定电压来计算.计算出来的电阻值要加!0--20%的

用multisim可以精确地画出二极管的伏安特性.