真空中,有一半径为e的均匀带电细圆环,电荷线密度为

如果就做这道题来说的话,图中的解法应该是做等效处理了,由于圆环的对称性,在电势上相当于带Q的点电荷在距离为R上的电势,图中的解法应该是解等效后的这样一个简单模型,楼主说的电势叠加是可以的.

球体内部的电荷是为0的,所有二者的静电能是相同的

ds面积上的电荷：q*ds/(4πr^2)所以电场强度大小为：E=[kq*ds/(4πr^2)]/r^2=kq*ds/(4πr^4)电场方向由圆心指向小面积ds.再问：你可能没理解意思问的是挖去了ds

正确的解法应该是完整均匀带电球面的电势（整个球体是等势的）减去ds上的电荷单独存在时在球心处产生的电势——kq/r-k[q(ds/πrr)]/r.你大概是没算kq/r而只算k[q(ds/πrr)]/r

由高斯定理可等效为球心点电荷,因此场强为sigma/4epsilon0,电势为r*sigma/2epsilon0再问：是这个答案再答：没错就是这个

1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/

从理论计算上来看,结合高斯定理,推导出的计算公式是：如图.（E.为真空电容率）（q其实就是Q)推导过程需要用到定积分理论.如果楼主还有问题的话,随时欢迎.希望对楼主有用~~~~~再问：可以写的在详细点

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

分情况考虑,当点r（PQ距离）＞R时,根据高斯定理（电通量φ=E*s=4πkQ）可知,P点所在以球壳球心为球心的球上各处电场相等,带电球壳对P点产生的电场等于球壳球心对其产生的电场,再由高斯定理推出E

求连续分布电荷产生的电场的一般方法,可将电荷分布区域内每个电荷元的贡献积分（叠加）.体电荷密度ρ是坐标的函数,由于微分电荷元性质很像点电荷,因此微分体积元dv'中的电荷ρdv'对场点P的电场强度贡献为

根据高斯定理,可得出电场分布E=q/4πεr²（rR)U=∫(q/4πεr²)dr+∫[﹙q+Q)/4πεr²]dr(两个积分区间分别为r—R和R—∞）最后即可求出U=1

应该选B.原因如下：根据高斯定理,两球外的电场分布是相同的,也就是说,再个球外面的的电场能量是相等的.但是,球面内部空间的电场为0,而均匀带电球体内部电场不为0（这个可以算,不难,先定性地说吧）,所以

高斯定理指的是如果球面内电荷为0,这整个球面上的总电通量为0.如果球面外有一个点电荷,则球面的一侧有像内的通量,另一侧有向外的通量,二者抵消.但这并不意味着该处的电场为0所以把它当成点电荷计算是正确的

根据高斯定理解E=d/e0E为射出高斯体的“净”电场强度,d为面电荷密度,e0为真空介电常数.当高斯体包括两个板时,射出高斯体的“净”电场强度为E0*2/3,所以E0*2/3=(dA+dB)/e0.当

设介电常数为u,且假设两个平面都带正电荷,如果两平面间的电场强度的方向由A指向B则：σA/2u+σB/2u=2EoσA/2u-σB/2u=Eo解得：σA=3EouσB=Eou如果两平面间的电场强度的方

积分来算,为了把二重的面积分简化为一重积分,首先根据对称性,d处的场强方向是沿着圆心O和d点连线向外.设圆盘的面电荷密度是s,有s=Q/πR^2考虑圆盘上的一个半径是在r,r+dr处的细环带,它的电量

电球面

2(1):球壳内场强为零.球壳外场强E=/4πεR^2.（2）球壳内电势为零.球壳外电势E=/4πεR.3（1）：B=(（2I/0.5d)-(I/0.5d)）μ/2π=μI/πd.（2）：x=2d/3

1、（1）球壳内电场为零,外部电场为：E=kQ/(r*r),r为该点到球心的距离.（2）球壳内电势为U=kQ/R.球壳外电势为U=kQ/r.（3）根据（1）（2）的结果绘制.2、无限长导线外一点的磁场