空穴电流与电子电流会不会抵消
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/08/12 22:26:51
1、这个问题还真比较复杂,GND我们通常称作“地”,也就是参考点,举个例子,一座有地下室的楼,跟地面相平的一楼可以看做地,电压就叫0V,比它高的二、三楼就是+电压,地下室就是“-”电压.楼越高电压越高
电流方向和电子移动方向相反.电子是负电荷.
电子带负电,空穴带正电,电子会向电势高的方向运动,正负电结合成中性.
这是历史的原因形成的.起初,人们还不知道构成电流的本质是什么,但已知道它是有方向的,于是人为规定了电流的方向是正电荷的流动方向且是从高电位流向低电位,并据此设计制作了测量电流的装置、仪表.后来发现电流
1:空穴与电子带相等的电荷量,并且一个带正电一个带负电.2:平衡,不动我在3给你讲原理就知道了3:原理:PN结是由P型半导体和N型半导体构成的,这些我不讲,书上有定义.我重点说下形成过程.P区载流子包
因为空穴中的载流子相对的较少,所以运动速度相对较快.
围绕原子运动的电子发生跃迁,从一个原子跃迁到另一个原子,则在原原子轨道上就产生了一个空穴,空穴和电子总是成对出现!
是这样负极的电子流向正点空穴,原空穴附近的电子流向更靠近正极空穴.正极附近的电子流向正极,在正极附近产生空穴.这个过程循环反复.形成电流二极管负向是截止的,正向压降根据材料不同,0.3v或者0.7v导
电子和空穴复合的过程,就是产生电流的过程.微观一个自由电子,挣脱空穴的束缚,别的电子就过来补充,正负电荷的移动就会产生电流.
导线与二极管的接触相当于金属半导体接触,有界面势垒的,只有少数热电子会越过该势垒,并不会形成电流
电子和空穴的运动其实都是电子在运动,空穴的运动其实就是和电子的相对运动和电流类似,就空穴来说,我们说的空穴的运动就是电子反方向运动的结果区别就在于,谁是多出来的,多出来的是电子么,就是电子流了,多出来
反向电流的主要成分是耗尽区边界的少子扩散电流和耗尽区的产生电流;正向偏置的PN结中N区电子通过扩散进入P区,在P区边扩散边与P区空穴复合,而空穴由电极处补充,从而转化成空穴电流.电子进入P区形成的是电
会的.正因为如此,所以二次侧电流由零加大时,一次侧电流也会加大,而且加大部分和二次侧的电流方向相反,大小和匝数反比.如此二者产生的磁通量的加大部分正好对消.对消后剩下的“总磁通”依然不变,恰好可以在每
所谓的空穴,只是在p型材料中表示电子行为的一种人造概念.pn结正偏时,当PN结即将接触时,还没有形成空间电荷层,在P型半导体中的多子为Ph,少
电子去的方向为“向正去”.输出电子的方向为“从负来”这是观念设定方向!(事实上,一个电子也没流走!)
首先要明确一点,空穴只是为了形象描述半导体导电机理而定义的一种物质,本身是并不存在了.空穴的定义以及移动实质上是由电子的移动产生的一种状态.比如在电场作用下,一个电子沿从A运动到B,看起来同时也是B上
在半导体中,空穴位于价带中,电子位于导带中,导带的能级要高于价带,电子跃迁到价带中,空穴就相应的消失,这就是电子与空穴的复合
你这句话首先是对的,其实真正在导体中流动形成电流的只有电子,P形半导体其实流动的也是电子,只是说这些电子在逐步的填补空穴,可以从相对上来认为是空穴在流动.但是你想,空穴是什么,它并不是真实意义上的物质
理论上都有贡献,但这部分电子和空穴与p-n结附近产生的电子空穴浓度相比是极少的,一般情况下可以忽略.再问:不是说在理想的情况下,PN结产生的电子空穴对是均匀的吗?那即使不是理想条件也不至于是极少的吧?
直流电电子流向是从电源负极流向正极,交流电电子流向简单的说是振动的,就是两个方向交替的流动.