搜搜考试网求教大神几个关于 量子阱 半导体 光伏 的问题
来源：学生作业帮 编辑：搜搜考试网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/07/12 12:49:12
求教大神几个关于 量子阱 半导体 光伏 的问题
我想求一个一维无限深量子阱中能量和阱宽的关系,得到了如图的两个方程
现在有如下几个问题还是不明白：
1. 式中的m应该用电子的静止质量还是有效质量
2.阱深V该如何得到?
跪谢了!
1.这种情景不需要考虑相对论效应,用静止质量即可
2.一维无限深势阱是某一区间势能为0,其他地方势能为无穷...你的阱深V是怎么来的?还是你用的边界条件不一样?
再问： 谢谢您的回答， 我上面题目说错了，应该是有限深势阱。 我需要模拟量子阱光伏中阱宽2a与吸收的能量的关系，但是对于V和E有些混乱。V我觉得是由所用半导体材料和温度决定的，E我觉得应该就是我需要模拟的能量。不知道我的理解有没有问题？
再答： 感觉没什么问题。V应该近似等于所用半导体材料的脱出功，你要模拟的话就自己设个合理的数值吧。
2.一维无限深势阱是某一区间势能为0,其他地方势能为无穷...你的阱深V是怎么来的?还是你用的边界条件不一样?
再问： 谢谢您的回答， 我上面题目说错了，应该是有限深势阱。 我需要模拟量子阱光伏中阱宽2a与吸收的能量的关系，但是对于V和E有些混乱。V我觉得是由所用半导体材料和温度决定的，E我觉得应该就是我需要模拟的能量。不知道我的理解有没有问题？
再答： 感觉没什么问题。V应该近似等于所用半导体材料的脱出功，你要模拟的话就自己设个合理的数值吧。