二极管的小信号电路中rbb是什么是默认的?

这个信号应该是基极高电平的时候.三极管导通,IO拉低为低电平.基极为低电平的时候,三极管截止,IO输出的高电平.不是放大电路

三极管EM2模型中,基极内部等效电阻.一般是100欧左右,具体值在三极管的器件手册中会给出.

TA75458是双运算放大器,A1和A2是它的两个运算单元.2SC1815是NPN型硅三极管.6.2V那个元件是稳压二极管,输出电压为6.2伏.12V当然是直流了,前面的“+”号就表示电源的正极.看来

4只整流二极管组成桥式整流,一只稳压二极管,一只电阻用于限流.一只电容作为滤波.

首先,二极管上有直流电流ID（直流电源、电阻R与二极管D构成通路）,ID＝（V－UD）/R＝（2V－0.7V）/0.5kΩ=2.6mA而二极管的动态电阻rD≈UT/ID＝26mV/2.6mA=10Ω而

你问Ubeq如何得知的,那么这个是根据三极管的材料决定的,若是硅材料的三极管,Ubeq≈0.7V,若是锗材料的三极管Ubeq≈0.3V.另外,Q点的求根据分压原理,UB=Vcc*Rb1/(Rb1+Rb

电阻导体虽然容易导电,但都对电流有阻碍作用.在相同的电压作用下,通过不同导体的电流大小不同,表示不同导体对电流的阻碍作用不同.电阻就是为了描述导体对电流阻碍作用大小而引入的物理量.电容在直流电路里用于

输入为峰值为8的正弦波,输出正半周>4的瞬时值部分被限制为4（水平）,其他部分（包括负半周）与输入同.

D

正半周二极管导通,相当于Ui与E串联,Uo取得最大值Ui+E=7V所以选D

不太好,至少不能进行较为精密的测量.光敏二极管对光强的线性响应只在一定范围里（大概在0Lx到1500Lx）,而且噪声略大.如果要做光强测量电路,建议使用硅光电池,利用其输出电流与光强的线性关系,得到照

高频负反馈减少输出的一些高频噪声信号再问：这个电容大小怎么确定呢？再答：不晓得。。。挺麻烦的，你搜搜三极管旁路电容选取试试？

三极管的发射结电压大于0.7v才会导通,假设如果不加直流电源,那么交流信号必须超过0.7v才会有放大作用,如果信号很小根本达不到0.7v那么就不会被放大,但是加上直流偏置后就不一样了,在直流状态下,三

R既是限流电阻,又是Ui输出电阻的组成部分,不能忽略.IR1=（Ui-Uo）/R（Ui≤3.7V）,IR2=（Ui-3.7V）/R（Ui＞3.7V）,Uo与RL的性质相关,在Ui的最大输出电流之内,确

可以用肖基特二极管,正向压降≈0.2V或更低,再问：我现在用的是in4007的二极管，除了换二极管还有其他的方法吗？比如把二极管置在微导通状态之类的，可以实现吗？再答：那不行，普通硅二极管的微导通也要

1.整流2.检波3.混频4.限幅（钳位）5.稳压6.开关7.续流8.阻尼等等等等很多作用.

泄放作用.这种用法多数与线圈（如直流继电器、直流电磁阀的线圈）反并联使用,就是当该类器件是正向电压失去时,利用二极管泄放掉它们产生的反向电动势.此图中的这个二极管,当其前端的电压消失时,电容上充满的电

′：三极管基区体电阻.低频小功率管约为200欧左右.如同某个电感的直流电阻,是个常数,以下链接有详细说明.三极管有些参数的理解涉及半导体物理的基础理论,如：rbe=rbb′+UT/Ibq=200+26

动态电阻指增量电压下产生的增量电流,它们形成的比值Rac=dU/dI,正是曲线斜率的倒数,在工作点Q的基础上,增加（或减少）一个增量电压：dU,那么电流将沿着曲线上升（或下降）一段：dI.曲线斜率为d

这个值用处不大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点处的切线斜率.我做三级管放大电路的时候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差