．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大

．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么 室温下,硅掺杂质半导体是否存在最大电阻率?若存在,试求之（假设迁移率不随杂质浓度的变化而变化） 电子电路基础题 第35题 (2.0) 分 \x05在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）\x05A、晶体缺陷\x0 问个半导体多子少子的问题 在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么? 说有半导体的重掺杂,这个重有什么标准么,比如说掺杂浓度到那个量级 本征半导体的掺杂浓度的变化所引起的导电特性的变化 求半导体样品的掺杂浓度?光照对半导体样品的电导率会不会有影响? 关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯 模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易