电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
来源:学生作业帮 编辑:搜搜考试网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/07/17 17:15:51
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
![电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点](/uploads/image/z/246317-5-7.jpg?t=%E7%94%B5%E5%8A%9B%E7%94%B5%E5%AD%90%E6%8A%80%E6%9C%AF%E8%AF%95%E9%A2%98GTO+GTR+MOSFET+IGBT%E5%9B%9B%E7%A7%8D%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1%E7%9A%84%E4%BC%98%E7%BC%BA%E7%82%B9%E8%AF%B7%E5%B0%BD%E9%87%8F%E7%A8%8D%E5%BE%AE%E7%9A%84%E8%AF%A6%E7%BB%86%E7%82%B9)
GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件.GTO的容量及使用寿命均超过GTR,只是工作频率比GTR低.目前,GTO已达到3000A、4500V的容量.大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力.
单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路.
MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大.缺点:击穿电压低,工作电流小.
IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物.特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz.
单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路.
MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大.缺点:击穿电压低,工作电流小.
IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物.特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz.
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
GTO,GTR,电力MOSFET,IGBT的区别及应用场合?
新型电力电子器件GTR,GTO,SIT,IGBT,MOSFET,SITH,MCT,IGCT的英文全称,和中文名是什么?
请问IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点
大学电力电子选择题1,通态压降最大的器件是:A,IGBT B,MOSFET C,GTR D,SCR2,为使可靠关断,门极
求各推荐一款额定电流为10-20A,耐压600V的GTR ,IGBT,功率MOSFET.有型号即可
IGBT与MOSFET的开关速度比较?
、在GTO、IGCT和IGBT等全控型电力电子器件中选择其中一种全控器件,简述其外特性及其该器件的特点
电力电子技术中所要完成的四种基本电能变换
请给我稍微详细点的资料~
试述直齿圆柱齿轮传动及人字齿圆柱齿轮传动的优缺点.(尽量写得详细点).
控制与电力电子技术的关系