N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复? 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管) N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? 求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装 请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通? MOS管如何使用?1,我是这样理解的：mos管的开启电压,假设是5V,源极电压有12v,这样是不是不需要加栅极电压就可以 MOS管关闭状态下,栅极电压最大能允许多大?是不是在接近导通电压Vgs时不安全,时间长可能会导通? N mos管通电情况下,栅极和缘极短路了,是坏了吗 N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极... 有没有这样的mos管,我是想要栅极电压大于1.5V时,管子处于夹断状态,低于等于1.5V时,管子导通. MOS管开启电压是哪个指标