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(2013•扬州一模)如图所示,在绝缘光滑的水平面上,有一个质量为m、边长为L的正方形线框,用一垂直于ab 边

来源:学生作业帮 编辑:搜搜考试网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/07/28 03:25:23
(2013•扬州一模)如图所示,在绝缘光滑的水平面上,有一个质量为m、边长为L的正方形线框,用一垂直于ab 边的恒定外力将正方形线框以速率v1匀速拉进磁感应强度为B的有界匀强磁场区域,当正方形线框全部进入磁场后立即将外力撤去,线框最终能完全离开磁场,若测得cd边刚要离开磁场时速率为v2,已知磁场方向竖直向下,宽度为5L,正方形线框每条边的电阻均为R,求:
(1)恒定外力的大小;
(2)线框ab边刚进磁场到刚要出磁场时所用时间t和cd边刚要离开磁场时的电势差Ucd;
(3)整个过程中产生的焦耳热Q.
(2013•扬州一模)如图所示,在绝缘光滑的水平面上,有一个质量为m、边长为L的正方形线框,用一垂直于ab 边
(1)线框ab边刚进入磁场时,E1=Blv1
线框中感应电流  I1=
E1
4R,
安培力F=BI1l,
线框进入磁场时做匀速运动,F=F
联立以上各式得:外力F=
B2l2v1
4R
(2)线框ab边刚进磁场时做匀速直线运动,撤去外力后完全进入磁场,没有感应电流产生,不受安培力,在未出磁场前仍是匀速运动,则线框ab边刚进磁场到刚要出磁场时所用时间t=
5l
v1.
cd边刚要离开磁场时,cd边产生的感应电动势 E2=Blv2
此时回路中感应电流  I2=
E2
4R,
由欧姆定律得电势差Ucd=I2•3R=
3
4Blv2(因为d点电势低于c点电势)
(3)进入磁场过程中产生的焦耳热等于克服安培力做功,即Q1=Fl=
B2l3v1
4R
穿出磁场过程中,产生的焦耳热为Q2=
1
2m
v21-
1
2m
v22
所以全过程产生的焦耳热为Q=Q1+Q2=
B2l3v1
4R+
1
2m
v21-
1
2m
v22
答:
(1)恒定外力的大小是
B2l2v1
4R;
(2)线框ab边刚进磁场到刚要出磁场时所用时间t为
5l
v1.
cd边刚要离开磁场时的电势差Ucd是−
3
4Blv2
(3)整个过程中产生的焦耳热Q是
B2l3v1
4R+
1
2m
v21-
1
2m
v22.
(2013•扬州一模)如图所示,在绝缘光滑的水平面上,有一个质量为m、边长为L的正方形线框,用一垂直于ab 边 如图甲所示,一正方形单匝线框abcd放在光滑绝缘水平面上,线框边长为L、质量为m、电阻为R. (2013•虹口区三模)如图甲所示,光滑绝缘水平面上一矩形金属线圈abcd的质量为m、电阻为R、面积为S,ad边长度为L (2013•闵行区一模)边长为a的正方形导线框在光滑水平面上以初速度v0进入有界磁场,匀强磁场的宽度L>a,如图所示,则 (2009•上海模拟)如图所示,正方形线框abcd放在光滑绝缘的水平面上,其边长L=0.5m、质量m=0.5kg、电阻R 如图所示,在光滑水平面上放一质量为M、边长为l的正方体木块,木块上搁有一长为L的轻质光滑棒,棒的一端用光滑铰链连接于地面 (2013•连云港三模)如图所示,在光滑的水平面上有一质量为M、倾角为θ的光滑斜面,一质量为m的物块从斜面上由静止下滑. (2013•黄浦区一模)如图所示,带正电的甲球固定在足够大的光滑绝缘水平面上的A点,其带电量为Q;质量为m、带正电的乙球 在光滑绝缘的水平面上有一个用一根均匀导体围成的正方形线框abcd,其边长为L,总电阻为R,放在磁感应强度为B.方向竖直向 如图所示,一质量为3m、长度为L的木块静止在光滑的水平面上.另一质量为m的子弹(可视为质点) 如图所示,光滑的水平面上有质量为M的滑块,其中AB部分为光滑的14圆周,半径为r,BC水平但不光滑,长为l.一可视为质点 (2011•朝阳区二模)如图所示,光滑水平面上一质量为M、长为L的木板右端靠在固定于地面的挡板P上.质量为m的小滑块以水