搜搜考试网电路设计时电容的容许误差大概有多少?1皮法有多大? 为什么我测量出来的和实际相比小了20皮法?
来源：学生作业帮 编辑：搜搜考试网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/07/28 13:06:26
电路设计时电容的容许误差大概有多少?1皮法有多大? 为什么我测量出来的和实际相比小了20皮法?
请电路设计高人指教,谢谢!
请电路设计高人指教,谢谢!
电容的容许误差取决于你的设计,好的设计可以使用误差较大电容仍旧完成较精确输出.
1 皮法= 1e-12 法拉 = 1e-6 微法.测量出来的电容相比实际小了可能原因如下,1.未使用较精密的LCR测量仪 2.探头串联（寄生）电容影响 3.电容本身制造误差 电容本身制造误差 可 参考此电容对应Datasheet
再问： 谢谢您的解答，对于问题补充以下几点： 设计电容200pF,在1MHz下测量为210~190pF，但在5MH下结果为320pF； 其余较小的电容也有这种情况； 一般测电容是要掉电测量的，请问您懂LRC测量电容的原理或者有相关资料吗？ 我用的是HP4284A测试设备，谢谢！
再答： 出现这种情况是有可能的.MLCC电容的等效模型就是R-L-C串联结构。 首先请正确设定你的测量模式，建议选用Cs-Rs 和Ls-Rs (串联模型)分别测得Cs和Ls 还有 Z, 频率(FREQ)一般选1KHz ~10K Hz, 电平(LEVEL)选 1V rms. 其实这个还和你的应用有关系，但只要模型正确，测了一个频率，其他的可以推算出来。你的设计其实最关心的是Z(阻抗) ，包含ESR的电容在不同频率下阻抗就是不同的.总的Z=√ ( ESR^2 + (Xc-Xl)^2). 只要阻抗符合要求，设计就是符合的。 你是否将电容用在震荡电路，如果是这类电路建议选用NPO材质的MLCC.
再问： 谢谢了！ 我测量的时候串联电容和并联电容都有测，两者相差不大。 请问我最终得到的测量电容值的表达式是什么样的，是R+1/jwC吗？ 我们在研发埋容技术，直接将表面去耦电容集成到PCB里，PCB材料的介质（钛酸钡添加树脂）直接作为电容的介质，PCB的相邻两层分别作为电容的两极。 我现在最关心的就是终端产品的设计容许误差一般有什么要求，比如服务器、通信系统中应用的话，电容的公差达到多少时对信号的波形有影响。
再答： 如果是埋容的话一般都是小容值么？从你的需求我看到你研发的产品主要用在服务器，通信，所以主要是高频场合，如果你以NPO(C0G) 精密电容为标杆的话，1% ~ 5% 30ppm/c 温漂，建议测试完整 Z vs Freq的曲线与C0G比较。
1 皮法= 1e-12 法拉 = 1e-6 微法.测量出来的电容相比实际小了可能原因如下,1.未使用较精密的LCR测量仪 2.探头串联（寄生）电容影响 3.电容本身制造误差 电容本身制造误差 可 参考此电容对应Datasheet
再问： 谢谢您的解答，对于问题补充以下几点： 设计电容200pF,在1MHz下测量为210~190pF，但在5MH下结果为320pF； 其余较小的电容也有这种情况； 一般测电容是要掉电测量的，请问您懂LRC测量电容的原理或者有相关资料吗？ 我用的是HP4284A测试设备，谢谢！
再答： 出现这种情况是有可能的.MLCC电容的等效模型就是R-L-C串联结构。 首先请正确设定你的测量模式，建议选用Cs-Rs 和Ls-Rs (串联模型)分别测得Cs和Ls 还有 Z, 频率(FREQ)一般选1KHz ~10K Hz, 电平(LEVEL)选 1V rms. 其实这个还和你的应用有关系，但只要模型正确，测了一个频率，其他的可以推算出来。你的设计其实最关心的是Z(阻抗) ，包含ESR的电容在不同频率下阻抗就是不同的.总的Z=√ ( ESR^2 + (Xc-Xl)^2). 只要阻抗符合要求，设计就是符合的。 你是否将电容用在震荡电路，如果是这类电路建议选用NPO材质的MLCC.
再问： 谢谢了！ 我测量的时候串联电容和并联电容都有测，两者相差不大。 请问我最终得到的测量电容值的表达式是什么样的，是R+1/jwC吗？ 我们在研发埋容技术，直接将表面去耦电容集成到PCB里，PCB材料的介质（钛酸钡添加树脂）直接作为电容的介质，PCB的相邻两层分别作为电容的两极。 我现在最关心的就是终端产品的设计容许误差一般有什么要求，比如服务器、通信系统中应用的话，电容的公差达到多少时对信号的波形有影响。
再答： 如果是埋容的话一般都是小容值么？从你的需求我看到你研发的产品主要用在服务器，通信，所以主要是高频场合，如果你以NPO(C0G) 精密电容为标杆的话，1% ~ 5% 30ppm/c 温漂，建议测试完整 Z vs Freq的曲线与C0G比较。
电路设计时电容的容许误差大概有多少?1皮法有多大? 为什么我测量出来的和实际相比小了20皮法?
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