请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的.
来源:学生作业帮 编辑:搜搜考试网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/08/08 10:37:23
请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的.
![请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的.](/uploads/image/z/18130110-6-0.jpg?t=%E8%AF%B7%E9%97%AE%2CN-MOS%E3%80%81P-MOS%E5%88%86%E5%88%AB%E6%8C%87N%E6%B2%9F%E9%81%93MOS%E7%AE%A1%E5%92%8CP%E6%B2%9F%E9%81%93MOS%E7%AE%A1%E5%90%97%3F%E5%AE%83%E4%BB%AC%E7%9A%84%E5%89%96%E9%9D%A2%E5%9B%BE%E5%92%8C%E5%B7%A5%E8%89%BA%E7%89%88%E5%9B%BE%E6%98%AF%E6%80%8E%E6%A0%B7%E7%9A%84.)
类似这样的问题我好像回答好多次了
MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET,
结构
如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层(图1c),最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S(源极)及D(漏极),如图1d所示.平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结.一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起.
![](http://img.wesiedu.com/upload/9/96/996dd4989228265ca19a767a45e1b666.jpg)
功能
要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID.改变VGS的电压可控制工作电流ID
若先不接VGS(即VGS=0),在D与S极之间加一正电压VDS,漏极D与衬底之间的PN结处于反向,因此漏源之间不能导电.如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS.此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板,而氧化物绝缘层作为电容器的介质.当加上VGS时,在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷,而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷.这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反,所以称为“反型层”,这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道.当VGS电压太低时,感应出来的负电荷较少,它将被P型衬底中的空穴中和,因此在这种情况时,漏源之间仍然无电流ID.当VGS增加到一定值时,其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道,这个临界电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压),用符号VT表示(一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT).当VGS继续增大,负电荷增加,导电沟道扩大,电阻降低,ID也随之增加,并且呈较好线性关系.因此在一定范围内可以认为,改变VGS来控制漏源之间的电阻,达到控制ID的作用.由于这种结构在VGS=0时,ID=0,称这种MOSFET为增强型.另一类MOSFET,在VGS=0时也有一定的ID(称为IDSS),这种MOSFET称为耗尽型.VP为夹断电压(ID=0).
耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子,使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷,即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道,所以在VGS=0时,有VDS作用时也有一定的ID(IDSS);当VGS有电压时(可以是正电压或负电压),改变感应的负电荷数量,从而改变ID的大小.VP为ID=0时的-VGS,称为夹断电压.
MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET,
结构
如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层(图1c),最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S(源极)及D(漏极),如图1d所示.平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结.一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起.
![](http://img.wesiedu.com/upload/9/96/996dd4989228265ca19a767a45e1b666.jpg)
功能
要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID.改变VGS的电压可控制工作电流ID
若先不接VGS(即VGS=0),在D与S极之间加一正电压VDS,漏极D与衬底之间的PN结处于反向,因此漏源之间不能导电.如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS.此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板,而氧化物绝缘层作为电容器的介质.当加上VGS时,在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷,而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷.这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反,所以称为“反型层”,这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道.当VGS电压太低时,感应出来的负电荷较少,它将被P型衬底中的空穴中和,因此在这种情况时,漏源之间仍然无电流ID.当VGS增加到一定值时,其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道,这个临界电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压),用符号VT表示(一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT).当VGS继续增大,负电荷增加,导电沟道扩大,电阻降低,ID也随之增加,并且呈较好线性关系.因此在一定范围内可以认为,改变VGS来控制漏源之间的电阻,达到控制ID的作用.由于这种结构在VGS=0时,ID=0,称这种MOSFET为增强型.另一类MOSFET,在VGS=0时也有一定的ID(称为IDSS),这种MOSFET称为耗尽型.VP为夹断电压(ID=0).
耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子,使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷,即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道,所以在VGS=0时,有VDS作用时也有一定的ID(IDSS);当VGS有电压时(可以是正电压或负电压),改变感应的负电荷数量,从而改变ID的大小.VP为ID=0时的-VGS,称为夹断电压.
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)
求推荐一P沟道的MOS管!
大家推荐一个导通电阻很小的P沟道mos管撒,N沟道也讲几个.
N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?
结型绝缘型、P沟道N沟道、加强型耗尽型MOS管
这是一幅结型N沟道的MOS管作为可变电阻电路图,请问ui增大时,uo是怎样变小的?
p沟道mos管如图所示,求在Vd在小于5v的情况下 能正常工作的P沟道mos管的 型号 .
一个555定时器三个N沟道的MOS管,最有可能是什么电路?
P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通?
想用一个mos管做开关,单片机的I/O口控制一个5V/3W的led灯,用p沟道好还是n沟道的好.应用电路是怎么样?
求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏